文献

J-GLOBAL ID：200902144127610235   整理番号：01A0670327

高パワーのAlGaInNのフリップチップの発光ダイオード

High-power AlGaInN flip-chip light-emitting diodes.

著者 (9件)： WIERER J J (LumiLeds Lighting, California) ,  KRAMES M R (LumiLeds Lighting, California) ,  LUDOWISE M J (LumiLeds Lighting, California) ,  CHRISTENSON G (LumiLeds Lighting, California) ,  MARTIN P S (LumiLeds Lighting, California) ,  GOETZ W (LumiLeds Lighting, California) ,  GARDNER N F (LumiLeds Lighting, California) ,  KERN R S (LumiLeds Lighting, California) ,  STOCKMAN S A (LumiLeds Lighting, California)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 78  号： 22  ページ： 3379-3381  発行年： 2001年05月28日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題発光ダイオード(FCLED)を報告した。FCLEDは従来...

シソーラス用語： *発光ダイオード ,...
準シソーラス用語： 発光強度

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0670327&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： パワー ,  フリップチップ ,  発光ダイオード