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J-GLOBAL ID：200902144294083956   整理番号：95A1008618

高温STMを用いたSi(111)-7×7領域の成長過程の解明 (VIII)

Growth Mechanism of Si(111)-7*7 domain observed by high temperature-STM system.

著者 (5件)： 熊本景太 (早稲田大 理工) ,  石丸哲也 (早稲田大 理工) ,  河田宏貴 (早稲田大 理工) ,  星野忠次 (早稲田大 理工) ,  大泊巌 (早稲田大 理工)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 56th  号： 2  ページ： 455  発行年： 1995年08月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (3件)： STM ,  Si ,  成長過程