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J-GLOBAL ID：200902144693096441   整理番号：02A0456630

窒化シリコン裏面不動態化太陽電池における寄生分路の実験的証拠

Experimental Evidence of Parasitic Shunting in Silicon Nitride Rear Surface Passivated Solar Cells.

著者 (4件)： DAUWE S (ISFH, Emmerthal, DEU) ,  MITTELSTAEDT L (ISFH, Emmerthal, DEU) ,  METZ A (ISFH, Emmerthal, DEU) ,  HEZEL R (ISFH, Emmerthal, DEU)
資料名： Progress in Photovoltaics  (Progress in Photovoltaics)
巻： 10  号： 4  ページ： 271-278  発行年： 2002年06月 
JST資料番号： W0463A  ISSN： 1062-7995  CODEN： PPHOED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 裏面不動態化にSiN_x膜を用いている太...

シソーラス用語： 窒化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 分路

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分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 窒化シリコン ,  不動態化 ,  太陽電池 ,  寄生 ,  分路 ,  実験 ,  証拠