シリコンナノ結晶に基ずくメモリ

TIWARI S; RANA F; HANAFI H; HARTSTEIN A; CRABBE E F; CHAN K

文献

J-GLOBAL ID：200902144888632550 整理番号：96A0278726

シリコンナノ結晶に基ずくメモリ

A silicon nanocrystals based memory.

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資料名：
巻： 68 号： 10 ページ： 1377-1379 発行年： 1996年03月04日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

~5nmの寸法のシリコンのナノ結晶に蓄積した電荷のしきい値シ...

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トランジスタ , 金属-絶縁体-半導体構造

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