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J-GLOBAL ID：200902145071810151   整理番号：93A0648978

放射光励起によるBドープトSiのエピタキシャル成長

B doped Si Epitaxy Using Synchrotron Radiation.

著者 (4件)： 杉田義博 (富士通研) ,  奈良安雄 (富士通研) ,  堀内敬 (富士通研) ,  伊藤隆司 (富士通研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 40th  号： Pt 2  ページ： 597  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (4件)： 放射 ,  光励起 ,  Si ,  エピタキシャル成長