LSIの評価・解析技術  製造プロセス評価解析技術  IR-OBIRCH法によるチップ裏面からの観測 I<sub>ddq</sub>経路およびその物理的原因欠陥の非破壊検出

二川清; 井上彰二

文献

J-GLOBAL ID：200902145489830159 整理番号：98A0482386

LSIの評価・解析技術製造プロセス評価解析技術 IR-OBIRCH法によるチップ裏面からの観測 I_ddq経路およびその物理的原因欠陥の非破壊検出

LSI Evaluation and Analysis Technology. Manufacturing Process Evaluation and Analysis Technology. Backside Current Path Observation and Defect Detection Using IR-OBIRCH Method.

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資料名：
巻： 50 号： 6 ページ： 68-73 発行年： 1997年07月
JST資料番号： G0475B ISSN： 0285-4139 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

I_ddqの電流経路を非破壊で検出し観測...

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固体デバイス計測・試験・信頼性 , 集積回路一般

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LSIの評価・解析技術 製造プロセス評価解析技術 IR-OBIRCH法によるチップ裏面からの観測 Iddq経路およびその物理的原因欠陥の非破壊検出

LSIの評価・解析技術製造プロセス評価解析技術 IR-OBIRCH法によるチップ裏面からの観測 I_ddq経路およびその物理的原因欠陥の非破壊検出