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J-GLOBAL ID：200902145573506731   整理番号：96A0857728

1.5nm直接トンネルゲート酸化膜Si MOSFET

1.5nm Direct-Tunneling Gate Oxide Si MOSFET’s.

著者 (7件)： SASAKI MOMOSE H (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  ONO M (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  YOSHITOMI T (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  OHGURO T (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NAKAMURA S (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  SAITO M (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  IWAI H (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 43  号： 8  ページ： 1233-1242  発行年： 1996年08月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題直接トンネルゲート酸化膜高電流駆動n-MOSFETを製作...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： トンネル ,  ゲート酸化膜 ,  Si ,  MOSFET