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J-GLOBAL ID：200902145662599387   整理番号：98A0782717

化学浴析出によるヒドロキシ硫化インジウムIn_x(OH)_yS_z薄膜の調製

Preparation of Indium Hydroxy Sulfide In_x(OH)_yS_z Thin Films by Chemical Bath Deposition.

著者 (5件)： BAYON R (Dep. Energias Renovables(CIEMAT), Madrid, ESP) ,  GUILLEN C (Dep. Energias Renovables(CIEMAT), Madrid, ESP) ,  MARTINEZ M A (Dep. Energias Renovables(CIEMAT), Madrid, ESP) ,  GUTIERREZ M T (Dep. Energias Renovables(CIEMAT), Madrid, ESP) ,  HERRERO J (Dep. Energias Renovables(CIEMAT), Madrid, ESP)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 145  号： 8  ページ： 2775-2779  発行年： 1998年08月 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 塩化In(III)を用いて化学浴によりヒドロキシ硫化インジウ...

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,...
準シソーラス用語： 禁止帯 ,...

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分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 化学浴析出 ,  硫化インジウム ,  YSZ ,  薄膜 ,  調製