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J-GLOBAL ID：200902145720575426   整理番号：00A0638362

ホッピング領域における高濃度ほう素ドープ合成半導体ダイヤモンドの輸送

Transport of heavily boron-doped synthetic semiconductor diamond in the hopping regime.

著者 (8件)： SATO T (Tamagawa Univ., Tokyo, JPN) ,  OHASHI K (Tamagawa Univ., Tokyo, JPN) ,  SUGAI H (Japan Atomic Energy Res. Inst.(JAERI), Ibaraki, JPN) ,  SUMI T (Tamagawa Univ., Tokyo, JPN) ,  HARUNA K (Tamagawa Univ., Tokyo, JPN) ,  MAETA H (Hiroshima-Denki Inst. Technol., Hiroshima, JPN) ,  MATSUMOTO N (Japan Atomic Energy Res. Inst.(JAERI), Ibaraki, JPN) ,  OTSUKA H (Japan Atomic Energy Res. Inst.(JAERI), Ibaraki, JPN)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 61  号： 19  ページ： 12970-12976  発行年： 2000年05月15日 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 約100ppmほう素をドープした合成ダイヤモンドの電気抵抗率...

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,...

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分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： ホッピング ,  高濃度 ,  ほう素 ,  ドープ ,  ダイヤモンド ,  輸送