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J-GLOBAL ID:200902145720575426   整理番号:00A0638362

ホッピング領域における高濃度ほう素ドープ合成半導体ダイヤモンドの輸送

Transport of heavily boron-doped synthetic semiconductor diamond in the hopping regime.
著者 (8件):
資料名:
巻: 61  号: 19  ページ: 12970-12976  発行年: 2000年05月15日 
JST資料番号: D0746A  ISSN: 1098-0121  CODEN: PRBMDO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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約100ppmほう素をドープした合成ダイヤモンドの電気抵抗率...
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半導体結晶の電気伝導 

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