低温で作ったGaAs系フォトミキサのミリワットの出力レベルと二次以上のバイアス依存性

BROWN E R; MCLNTOSH K A; SMITH F W; NICHOLS K B; MANFRA M J; DENNIS C L; MATTIA J P

文献

J-GLOBAL ID：200902145908654293 整理番号：94A0610229

低温で作ったGaAs系フォトミキサのミリワットの出力レベルと二次以上のバイアス依存性

Milliwatt output levels and superquadratic bias dependence in a low-temperature-grown GaAs photomixer.

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資料名：
巻： 64 号： 24 ページ： 3311-3313 発行年： 1994年06月13日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

約195°Cで間隔が0.3μmのくし形電極のフォトミキサをMB...

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非線形光学 , 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合

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