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J-GLOBAL ID：200902146075487785   整理番号：98A0616476

DCベースバイアスを用いたGaInP/GaAsヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタの性能向上

Performance Enhancement of GaInP/GaAs Heterojunction Bipolar Phototransistors Using DC Base Bias.

著者 (5件)： SRIDHARA R (Univ. Cincinnati, OH, USA) ,  FRIMEL S M (Univ. Cincinnati, OH, USA) ,  ROENKER K P (Univ. Cincinnati, OH, USA) ,  PAN N (Kopin Corp., MA, USA) ,  ELLIOTT J (Kopin Corp., MA, USA)
資料名： Journal of Lightwave Technology  (Journal of Lightwave Technology)
巻： 16  号： 6  ページ： 1101-1106  発行年： 1998年06月 
JST資料番号： H0922A  ISSN： 0733-8724  CODEN： JLTEDG  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属気相エピタキシ法(MOVPE)で成長させ,エミッタを...

シソーラス用語： *フォトトランジスタ ,...

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分類 (2件)： その他の光伝送素子  (BD06040S) ,  光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (8件)： DC ,  バイアス ,  GaInP ,  GaAs ,  ヘテロ接合 ,  バイポーラ ,  フォトトランジスタ ,  性能向上