SiC(0001)上のカーボンナノチューブの形成機構

KUSUNOKI M; SUZUKI T; HIRAYAMA T; SHIBATA N; KANEKO K

文献

J-GLOBAL ID：200902146087855330 整理番号：00A0858649

SiC(0001)上のカーボンナノチューブの形成機構

A formation mechanism of carbon nanotube films on SiC(0001).

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資料名：
巻： 77 号： 4 ページ： 531-533 発行年： 2000年07月24日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

断面透過型電子顕微鏡観察によってSiCのSi(0001)面と...

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原子・分子のクラスタ , 半導体薄膜

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