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J-GLOBAL ID：200902146300368332   整理番号：02A0853430

ボイド形成剥離法によるGaN自立基板の低転位化機構

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著者 (6件)：
柴田真佐知

柴田真佐知 について

(日立電線)

日立電線 について

, 
市橋鋭也

市橋鋭也 について

(NEC 基礎研)

NEC 基礎研 について

, 
江利健

江利健 について

(日立電線)

日立電線 について

, 
大島祐一

大島祐一 について

(日立電線)

日立電線 について

, 
砂川晴夫

砂川晴夫 について

(NEC 光無線デバイス研)

NEC 光無線デバイス研 について

, 
碓井彰

碓井彰 について

(NEC 光無線デバイス研)

NEC 光無線デバイス研 について


資料名：
応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)

応用物理学会学術講演会講演予稿集 について


巻： 63rd  号： 1  ページ： 312  発行年： 2002年09月24日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*窒化ガリウム

窒化ガリウム について

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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ボイド形成剥離法

ボイド形成剥離法 について

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分類 (1件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
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ボイド

ボイド について

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GaN

GaN について

, 
自立

自立 について

, 
転位

転位 について


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