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J-GLOBAL ID：200902146410167260   整理番号：98A0803824

a-Si:H膜のパルスレーザ融解で成長させた一次元自己組織化Siドット

One-dimensional, self-organized Si dots grown by pulsed laser melting of a-Si:H films.

著者 (8件)： CHEN K (Nanjing Univ., Nanjing, CHN) ,  LUO G (Nanjing Univ., Nanjing, CHN) ,  WANG M (Nanjing Univ., Nanjing, CHN) ,  GAO X (Nanjing Univ., Nanjing, CHN) ,  XU J (Nanjing Univ., Nanjing, CHN) ,  WANG M (Center For Advanced Studies in Sci. and Technol. Microstructures, Nanjing, CHN) ,  HUANG X (Center For Advanced Studies in Sci. and Technol. Microstructures, Nanjing, CHN) ,  MING N (Center For Advanced Studies in Sci. and Technol. Microstructures, Nanjing, CHN)
資料名： Journal of Non-Crystalline Solids  (Journal of Non-Crystalline Solids)
巻： 227/230  号： Pt.B  ページ： 934-937  発行年： 1998年05月 
JST資料番号： D0642A  ISSN： 0022-3093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題の膜を再成長させるパルスレーザ誘起融解により,一次元の自...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...
準シソーラス用語： AFM【顕微鏡】 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  パルス ,  レーザ融解 ,  成長 ,  自己組織化 ,  ドット