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J-GLOBAL ID：200902146570591440   整理番号：98A0251053

負のバイアス温度ストレスによって引起こされる多結晶シリコンTFTのしきい値電圧シフトの変化を評価する解析手法

An Analytical Method of Evaluating Variation of the Threshold Voltage Shift Caused by the Negative-Bias Temperature Stress in Poly-Si TFT’s.

著者 (8件)： MAEDA S (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  MAEGAWA S (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  IPPOSHI T (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  KURIYAMA H (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  ASHIDA M (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  INOUE Y (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  MIYOSHI H (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  YASUOKA A (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 45  号： 1  ページ： 165-172  発行年： 1998年01月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 負のバイアス温度(-BT)カトレスによって,多結晶シリコンと...

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (7件)： バイアス ,  温度ストレス ,  多結晶シリコン ,  TFT ,  しきい値電圧シフト ,  評価 ,  解析手法