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J-GLOBAL ID：200902146734129689   整理番号：01A0310660

プラズマ増強化学気相蒸着により成長した水素化非晶質カーボン薄膜中の欠陥状態の低密度

Low density of defect states in hydrogenated amorphous carbon thin films grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition.

著者 (7件)： KRISHNA K M (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  EBISU H (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  HAGIMOTO K (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  HAYASHI Y (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  SOGA T (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  JIMBO T (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  UMENO M (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 78  号： 3  ページ： 294-296  発行年： 2001年01月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題薄膜成長を検討した。大部分の非晶質カーボン(a-C:H)...

シソーラス用語： *非晶質 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (10件)： プラズマ ,  増強 ,  化学 ,  気相蒸着 ,  成長 ,  水素化 ,  非晶質 ,  カーボン薄膜 ,  欠陥状態 ,  低密度