Si/SiGep-i-nヘテロ構造のエレクトロルミネセンス,光ルミネセンス,および光電流

FOERSTER M; MANTZ U; RAMMINGER S; THONKE K; SAUER R; KIBBEL H; SCHAEFFLER F; HERZOG H-J

文献

J-GLOBAL ID：200902147080541263 整理番号：96A0795745

Si/SiGep-i-nヘテロ構造のエレクトロルミネセンス,光ルミネセンス,および光電流

Electroluminescence, photoluminescence, and photocurrent studies of Si/SiGe p-i-n heterostructures.

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著者 (8件)： , , , , , , ,
資料名：
巻： 80 号： 5 ページ： 3017-3023 発行年： 1996年09月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Si p-i-nダイオードのi層(40nm)の中央に幅W=2...

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半導体のルミネセンス , 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合

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