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J-GLOBAL ID：200902147116553271   整理番号：93A0622107

Precipitate strain relief via point defect interaction: models for SiO₂ in silicon.

著者 (3件)： TAYLOR W J (Duke Univ., NC, USA) ,  GOESELE U M (Duke Univ., NC, USA) ,  TAN T Y (Duke Univ., NC, USA)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 34  号： 2  ページ： 166-174  発行年： 1993年05月 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (1件)： SiO2