文献

J-GLOBAL ID：200902147467891122   整理番号：93A0916811

電気抵抗率の準定常測定による薄膜の結晶粒成長速度の研究

Study on Grain Growth Kinetics of Thin Films by Means of Quasi-State Measurement of Resistivity.

著者 (5件)： WANG X-P (Univ. Science and Technology of China, Hefei) ,  ZHAO T-X (Univ. Science and Technology of China, Hefei) ,  JI H (Univ. Science and Technology of China, Hefei) ,  DONG Y (Univ. Science and Technology of China, Hefei) ,  BIAN B (Univ. Science and Technology of China, Hefei)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 42  号： 10  ページ： 1642-1647  発行年： 1993年10月 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 超高真空中の直流スパッタでPd膜を作製し,電気抵抗率と熱処理時間の関係を種々の温度で測定した。Pd膜の結晶粒径の変化を二流体模型で計算し,TEMの結果と比較した。熱処理温度が結晶粒の成長過程に重要なことを見いだした。実験結果は結晶粒成長過程が約0.53eVの活性化エネルギーをもつ熱活性であることを示した

シソーラス用語： スパッタ蒸着 ,  パラジウム ,  金属薄膜 ,  電気抵抗率 ,  結晶粒度 ,  熱処理 ,  活性化エネルギー ,  シミュレーションモデル ,  成長速度 ,  データ解析
準シソーラス用語： Hoffmanモデル

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電気抵抗率 ,  薄膜 ,  結晶粒 ,  成長速度 ,  研究