基板上に浸漬塗装した析出物としての薄膜のDSC In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜を生成するためのインジウム(III)2-エチルヘキサノアートの熱変化

SAWADA Y; OMIKA K; ITO Y; MUTA F; MOMOTA M

文献

J-GLOBAL ID：200902147940824136 整理番号：93A0923487

基板上に浸漬塗装した析出物としての薄膜のDSC In₂O₃薄膜を生成するためのインジウム(III)2-エチルヘキサノアートの熱変化

DSC of as-deposited thin films dip-coated on the substrate. Thermal change of indium(III) 2-ethylhexanoate to form In₂O₃ thin films.

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巻： 40 号： 3 ページ： 1145-1150 発行年： 1993年
JST資料番号： H0095C ISSN： 0368-4466 CODEN： JTHEA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

酸化インジウムセラミック薄膜(厚み:約20nm~数μ)の生成...

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無機化合物の化学分析 , 熱量測定,熱量計 , セラミック・磁器の性質

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基板上に浸漬塗装した析出物としての薄膜のDSC In2O3薄膜を生成するためのインジウム(III)2-エチルヘキサノアートの熱変化

基板上に浸漬塗装した析出物としての薄膜のDSC In₂O₃薄膜を生成するためのインジウム(III)2-エチルヘキサノアートの熱変化