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J-GLOBAL ID：200902147949713000   整理番号：93A0674100

571GHz最高発振周波数を有するダブルドープInAlAs/InGaAs/InPヘテロ接合FET

Double-Doped InAlAs/InGaAs/InP Heterojunction FET with 571GHz Maximum Frequency of Oscillation.

著者 (3件)： 岩田直高 (日本電気 関西エレクトロニクス研) ,  富田正俊 (日本電気 関西エレクトロニクス研) ,  葛原正明 (日本電気 関西エレクトロニクス研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 40th  号： Pt 3  ページ： 1247  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： 発振周波数 ,  ドープ ,  InAlAs ,  InGaAs ,  InP ,  ヘテロ接合FET