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J-GLOBAL ID：200902148050392375   整理番号：02A0941234

水素化物気相エピタクシーによる低欠陥GaNの成長と特性評価

Growth and characterization of low defect GaN by hydride vapor phase epitaxy.

著者 (6件)： XU X (ATMI, Inc., CT, USA) ,  VAUDO R P (ATMI, Inc., CT, USA) ,  LORIA C (ATMI, Inc., CT, USA) ,  SALANT A (ATMI, Inc., CT, USA) ,  BRANDES G R (ATMI, Inc., CT, USA) ,  CHAUDHURI J (Wichita State Univ., KS, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 246  号： 3/4  ページ： 223-229  発行年： 2002年12月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化物気相成長(HVPE)を用いて低欠陥GaNブールを作製...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 水素化物気相エピタクシー ,  欠陥 ,  GaN ,  成長 ,  特性評価