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J-GLOBAL ID：200902148111231019   整理番号：96A0807934

イリジウム上のダイヤモンドのエピタキシャル成長

Epitaxial Growth of Diamond on Iridium.
著者 (4件)：
OHTSUKA K

OHTSUKA K について

(Aoyama-Gakuin Univ., Tokyo, JPN)

Aoyama-Gakuin Univ., Tokyo, JPN について

, 
SUZUKI K

SUZUKI K について

(To-plas Corp., Saitama, JPN)

To-plas Corp., Saitama, JPN について

, 
SAWABE A

SAWABE A について

(Aoyama-Gakuin Univ., Tokyo, JPN)

Aoyama-Gakuin Univ., Tokyo, JPN について

, 
INUZUKA T

INUZUKA T について

(Aoyama-Gakuin Univ., Tokyo, JPN)

Aoyama-Gakuin Univ., Tokyo, JPN について


資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)

Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters について


巻： 35  号： 8B  ページ： L1072-L1074  発行年： 1996年08月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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イオン照射による基板の前処理を行なった後の直流プラズマ化学蒸...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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ダイヤモンド

ダイヤモンド について

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分類 (1件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

引用文献 (7件)：
  • KOIZUMI, S. Appl. Phys. Lett. 1990, 57, 563
  • STONER, B. R. Appl. Phys. Lett. 1992, 60, 698
  • WOLTER, S. D. Appl. Phys. Lett. 1993, 62, 1215
  • SATO, Y. Proc. Second Int. Conf. on New Diamond Science & Technology, Washington, D. C., Sept. 23-27, 1990. 1991, 371
  • SUZUKI, K. Appl. Phys. Lett. 1987, 50, 728
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タイトルに関連する用語 (3件)：
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イリジウム

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ダイヤモンド

ダイヤモンド について

, 
エピタキシャル成長

エピタキシャル成長 について


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