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文献
J-GLOBAL ID:200902148319077358   整理番号:98A0804689

熱酸化したSi(100)基板における低パルスエネルギーエキシマレーザ誘起損傷

Low-Pulse Energy Excimer-Laser-Induced Damage in Thermally Oxidized Si(100) Substrates.
著者 (1件):
資料名:
巻: 37  号:ページ: 3948-3950  発行年: 1998年07月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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熱酸化Si(100)基板に低いエネルギー密度でエキシマレーザ...
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分類 (1件):
分類
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レーザ照射・損傷 
引用文献 (24件):
  • SUGII, T. Appl.Phys.Lett. 1984, 45, 966
  • RICHTER, H. J.Appl.Phys. 1984, 56, 2351
  • VERMA, G. Appl.Phys.Lett. 1996, 69, 319
  • GREBEL, H. J.Appl.Phys. 1996, 79, 4414
  • DONNELLY, V. M. Appl.Phys.Lett. 1989, 54, 1567
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タイトルに関連する用語 (5件):
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