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J-GLOBAL ID：200902148375449373   整理番号：02A0326549

ナノメータ領域へのCMOS縮小に対する直列抵抗の先進的モデルと解析 パート2 定量的解析

Advanced Model and Analysis of Series Resistance for CMOS Scaling Into Nanometer Regime. Part II: Quantitative Analysis.

著者 (3件)： KIM S-D (Univ. California, CA, USA) ,  PARK C-M (Univ. California, CA, USA) ,  WOO J C S (Univ. California, CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 49  号： 3  ページ： 467-472  発行年： 2002年03月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 将来のCMOS設計とナノメータ領域への技術的縮小のため,先進...

シソーラス用語： *CMOS構造 ,...
準シソーラス用語： 直列抵抗 ,...

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分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  回路理論一般  (NA02010M)

タイトルに関連する用語 (8件)： ナノメータ ,  CMOS ,  縮小 ,  直列抵抗 ,  モデル ,  解析 ,  パート ,  定量的解析