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J-GLOBAL ID：200902148431083425   整理番号：01A0245375

Ga_1-xIn_xN/GaNヘテロ構造における量子化状態と分極した均一量子井戸の模型

Quantized states in Ga_1-xIn_xN/GaN heterostructures and the model of polarized homogeneous quantum wells.

著者 (4件)： WETZEL C (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  TAKEUCHI T (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  AMANO H (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  AKASAKI I (Meijo Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 62  号： 20  ページ： R13302-R13305  発行年： 2000年11月15日 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ルミネセンスと光反射分光法で分析されるGa<sub>1-x<...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  ヘテロ構造 ,  量子化 ,  分極 ,  量子井戸 ,  模型