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J-GLOBAL ID：200902148563591993   整理番号：94A0362005

MBEの性質を利用したGaAlAs/GaAs利得結合分布帰還型レーザの製作

Fabrication of GaAlAs/GaAs Gain-Coupled Distributed Feedback Lasers Using the Nature of MBE.

著者 (5件)： LUO Y (Tsinghua Univ., Beijing, CHN) ,  SI W (Tsinghua Univ., Beijing, CHN) ,  ZHANG S (Tsinghua Univ., Beijing, CHN) ,  CHEN D (Tsinghua Univ., Beijing, CHN) ,  WANG J (Tsinghua Univ., Beijing, CHN)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 6  号： 1  ページ： 17-20  発行年： 1994年01月 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： DBFレーザ用の波形表面が得られるばかりでなく,回折格子の形...

シソーラス用語： ヒ化ガリウムアルミニウム ,...

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： MBE ,  性質 ,  GaAlAs ,  GaAs ,  利得 ,  分布帰還型レーザ ,  製作