GaAs(110)表面上のチップ-表面相互作用の第1原理研究 原子間力及び走査型トンネル顕微鏡との関係

KE S H; UDA T; PEREZ R; STICH I; TERAKURA K

文献

J-GLOBAL ID：200902149175660688 整理番号：00A0031557

GaAs(110)表面上のチップ-表面相互作用の第1原理研究原子間力及び走査型トンネル顕微鏡との関係

First-principles investigation of tip-surface interaction on a GaAs(110) surface: Implications for atomic force and scanning tunneling microscopies.

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資料名：
巻： 60 号： 16 ページ： 11631-11638 発行年： 1999年10月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

擬ポテンシャル全エネルギー法を基に,SiチップによりGaAs...

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顕微鏡法

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GaAs(110)表面上のチップ-表面相互作用の第1原理研究 原子間力及び走査型トンネル顕微鏡との関係

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