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J-GLOBAL ID:200902149251962737 整理番号:94A0108950
イオン注入技術 0.4~0.25μm時代のイオン注入技術
Ion implantation technology.Ion implantation technology in the age of 0.4~0.25 μm.
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布施玄秀
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青木則茂
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松下電子工業
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資料名:
月刊Semiconductor World (月刊セミコンダクターワールド)
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巻:
12
号:
16
ページ:
171-175
発行年:
1993年11月
JST資料番号:
Y0509A
ISSN:
0286-5025
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
解説
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)
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超微細MOSにおけるイオン注入技術,高エネルギー注入技術,大...
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