文献

J-GLOBAL ID：200902149284806706   整理番号：03A0203893

高効率デバイスに使用されるCu(In,Ga)Se₂薄膜の微細構造の研究

Investigation of the Microstructure of Cu(In,Ga)Se₂ Thin Films Used in High-Efficiency Devices.

著者 (8件)： NOUFI R (National Renewable Energy Lab., CO) ,  YAN Y (National Renewable Energy Lab., CO) ,  ABU-SHAMA J (Colorado School of Mines, Colorado) ,  JONES K (National Renewable Energy Lab., CO) ,  AL-JASSIM M (National Renewable Energy Lab., CO) ,  KEYES B (National Renewable Energy Lab., CO) ,  ALLEMAN J (National Renewable Energy Lab., CO) ,  RAMANATHAN K (National Renewable Energy Lab., CO)
資料名： Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference  (Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference)
巻： 29th  ページ： 508-510  発行年： 2002年 
JST資料番号： E0756A  ISSN： 0160-8371  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *太陽電池 ,...
準シソーラス用語： CIGS

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高効率 ,  Cu ,  Ga ,  薄膜 ,  微細構造 ,  研究