InGaAs量子ディスクの励起子ルミネセンスにおける横電場効果

GOTOH H; KAMADA H; ANDO H; TEMMYO J

文献

J-GLOBAL ID：200902149323711823 整理番号：00A0287205

InGaAs量子ディスクの励起子ルミネセンスにおける横電場効果

Lateral electric-field effects on excitonic photoemissions in InGaAs quantum disks.

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資料名：
巻： 76 号： 7 ページ： 867-869 発行年： 2000年02月14日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ゼロ次元のInGaAs量子ディスクにおける励起子の横電場効果...

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励起子 , 半導体のルミネセンス

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