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J-GLOBAL ID：200902149328305661   整理番号：94A0028471

n型シリコンエピ層の四探針抵抗率経時変化の調査 安定した四探針測定法の提案

Investigation of Time-Dependent Four-Point-Probe(4PP) Resistivity on N-Type Silicon Epitaxial Wafers.

著者 (3件)： 三谷清 (信越半導体) ,  斉須重徳 (信越半導体) ,  片山正健 (信越半導体)
資料名： 半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集  (Proceedings of the Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology)
巻： 45th  ページ： 106-111  発行年： 1993年12月 
JST資料番号： F0108B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 標記経時変化は,エピ層表面の自然酸化膜中の負電荷が空乏層を誘...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (8件)： N型シリコン ,  エピ層 ,  探針 ,  抵抗率 ,  経時変化 ,  調査 ,  測定法 ,  提案