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J-GLOBAL ID：200902149462966348   整理番号：93A0535390

多周波放電反応器におけるGaAsのエッチング

Etching of GaAs in a Multi-Frequency Discharge Reactor.

著者 (3件)： HORNIAKOVA A (Inst. Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Bratislava) ,  HURAN J (Inst. Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Bratislava) ,  HASCIK S (Inst. Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Bratislava)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applied Research  (Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻： 136  号： 2  ページ： K93-K96  発行年： 1993年04月16日 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 0031-8965  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記反応器内で,CCl₂F<sub>2...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 多周波 ,  放電反応 ,  GaAs ,  エッチング