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J-GLOBAL ID：200902149477570556   整理番号：02A0144974

フィールドエミッションの最近の進展 高濃度Siドープ窒化アルミニウムからの高いフィールドエミッション電流密度

Recent Developments of Field-Emission Research. High Field-emission Current Density from Heavily Si-doped Aluminum Nitrides.

著者 (2件)： 嘉数誠 (NTT 物性科学基礎研) ,  小林直樹 (NTT 物性科学基礎研)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 23  号： 1  ページ： 44-50  発行年： 2002年01月10日 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： AlNにSiを高濃度でドープすると,その電界放出(FE)に効...

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,...
準シソーラス用語： 禁止帯

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分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

引用文献 (17件)：

• 1) M.C. Benjamin, M.D. Bremser, T.W. Weeks, S.W. King, R.F. Davis and R.J. Nemanich: Appl. Surf. Sci. 104/105, 455 (1996).
• 2) C.I. Wu, A. Kahn, E.S. Hellman and D.N.E. Buchanan: Appl. Phys. Lett. 73, 1346 (1998).
• 3) 例えば
•    S.M. Sze: Physics of Semiconductor Devices 2nd ed. (John Wiley & Sons, New York, 1981) p. 850.
• 4) T. Sowers, J.A. Christman, M.D. Bremser, B.L. Ward, R.F. Davis and R.J. Nemanich: Appl. Phys. Lett. 71, 2289 (1997).

タイトルに関連する用語 (8件)： フィールド ,  エミッション ,  進展 ,  高濃度 ,  Si ,  ドープ ,  窒化アルミニウム ,  電流密度