文献

J-GLOBAL ID：200902149577212193   整理番号：93A0745106

金属積み上げおよび埋め込みのSRAMを持つ51kゲート低電力ECLゲートアレイファミリ

A 51K-gate low power ECL gate array family with metal-compiled and embedded SRAM.

著者 (9件)： GRAY D (Synergy Semiconductor, CA, USA) ,  BEESON D (Synergy Semiconductor, CA, USA) ,  DAVIS G (Synergy Semiconductor, CA, USA) ,  HUTCHINGS D (Synergy Semiconductor, CA, USA) ,  THAI P (Synergy Semiconductor, CA, USA) ,  WONG T S (Synergy Semiconductor, CA, USA) ,  KURODA T (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NAKAMURA M (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NODA M (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名： Proceedings of the IEEE Custom Integrated Circuits Conference  (Proceedings of the IEEE Custom Integrated Circuits Conference)
巻： 1993  ページ： 23.4.1-23.4.4  発行年： 1993年 
JST資料番号： H0843A  ISSN： 0886-5930  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 51kゲート密度までの,80ps,1mW/ゲート・直列ゲート...

シソーラス用語： ゲートアレイ ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=93A0745106&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0843A") }}

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 埋め込み ,  SRAM ,  ゲート ,  低電力 ,  ECL ,  ゲートアレイ