硫黄で不動態化したGaAsの内部光電子放出およびX線光電子放出分光による研究

文献

J-GLOBAL ID：200902149598834470 整理番号：93A0308304

Internal Photoemission and X-Ray Photoelectron Spectroscopic Studies of Sulfur-Passivated GaAs.

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資料名：
巻： 32 号： 2 ページ： 921-929 発行年： 1993年02月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

硫黄で不動態化したGaAs表面では,XPSによりGaおよびA...

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半導体の表面構造 , 半導体-金属接触

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