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J-GLOBAL ID：200902149817882990   整理番号：01A0951622

p-及びn-型4H-SiCへのニッケルOhm接触

Nickel ohmic contacts to p- and n-type 4H-SiC.

著者 (3件)： FURSIN L G (Rutgers Univ., NJ, USA) ,  ZHAO J H (Rutgers Univ., NJ, USA) ,  WEINER M (United Silicon Carbide, Inc., NJ, USA)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 37  号： 17  ページ： 1092-1093  発行年： 2001年08月16日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCデバイス製造のための期待できるプロセスを提供できる,ニ...

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 型 ,  4H-SiC ,  ニッケル ,  Ohm接触