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J-GLOBAL ID：200902150000346776   整理番号：01A0582153

アジド架橋Cu(II)二量体錯体の磁気構造のAb Initio法による研究

Ab initio Calculation for Magnetostructural Characterization of Azido-Bridged Cu(II) Dimers.

著者 (4件)： XIANG S-C (Fuzhou Univ., Fuzhou) ,  LI J-Q (Fuzhou Univ., Fuzhou) ,  ZHANG Y-F (Fuzhou Univ., Fuzhou) ,  ZHOU L-X (Fuzhou Univ., Fuzhou)
資料名： Huaxue Xuebao  (Huaxue Xuebao)
巻： 59  号： 2  ページ： 173-178  発行年： 2001年02月 
JST資料番号： H0391B  ISSN： 0567-7351  CODEN： HHHPA4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 対称性破たん状態法を用い,End to End型結合(EE)とEnd to On結合(EO)の二つの結合方法について,標記錯体のDFT計算を行った。その結果,EEは反強磁性であるが,EOはθ=91°~107°で強磁性を示し実験値の96°~104°とほぼ合致した。この錯体の磁気構造は,SOMOb_1g軌道の中の架橋窒素のP_x軌道とCuのd_xy軌道の相互作用によるd-p-d三中心σ反結合作用であることを示した。θ=95°~110°に最大の反結合重なりを持っているので,この範囲で強磁性相互作用が最大値となる。同時に結合定数JはCuと配位子アジド架橋のN原子間の距離の増大につれて減少する。しかし,アジドと平面との角度がJに与える影響は大きくなかった。

シソーラス用語： *銅錯体 ,  *分子構造 ,  配位結合 ,  *対称性の破れ ,  反強磁性 ,  強磁性 ,  *磁気構造 ,  原子軌道関数 ,  二核錯体 ,  結合定数 ,  アジド ,  ab initio MO法 ,  架橋【高分子】
準シソーラス用語： 橋架け ,  反結合性軌道

分類 (2件)： 第11族,第12族元素の錯体  (CE01050Y) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (7件)： アジド ,  架橋 ,  Cu ,  二量体 ,  錯体 ,  磁気構造 ,  研究