文献

J-GLOBAL ID：200902150005632777   整理番号：98A0023751

炭化けい素の昇華分解によって自己組織化したエピタキシャル・カーボンナノチューブ薄膜

Epitaxial carbon nanotube film self-organized by sublimation decomposition of silicon carbide.

著者 (3件)： KUSUNOKI M (Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN) ,  ROKKAKU M (Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN) ,  SUZUKI T (Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 71  号： 18  ページ： 2620-2622  発行年： 1997年11月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透過型電子顕微鏡の内部でSiCをYAGレーザで1700度に熱...

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=98A0023751&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 炭化けい素 ,  昇華 ,  分解 ,  自己組織化 ,  エピタキシャル ,  カーボンナノチューブ ,  薄膜