文献

J-GLOBAL ID：200902150127823042   整理番号：01A0245527

表面と界面における元素の成長運動の高分解観測

High-resolution observation of the growth motion of elements on surfaces and at interfaces.

著者 (3件)： YAMANAKA T (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SHIMOMURA N (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  INO S (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 77  号： 24  ページ： 3983-3985  発行年： 2000年12月11日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(111)-√3×√3-Ag上でGeが成長する時に,表面...

シソーラス用語： 表面 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0245527&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の物理分析  (CC03014E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 界面 ,  元素 ,  高分解 ,  観測