走査型トンネル顕微鏡リソグラフィーを用いたレジスト過程によるGaAs表面上のナノ加工

文献

J-GLOBAL ID：200902150363725515 整理番号：97A0775306

Nano-Fabrication on GaAs Surface by Resist Process with Scanning Tunneling Microscope Lithography.

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資料名：
巻： 36 号： 6B ページ： 3839-3843 発行年： 1997年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

電子ビーム源としてW探針を持つ走査型トンネル顕微鏡を利用して...

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半導体の表面構造

引用文献 (5件)：

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