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J-GLOBAL ID：200902150794843302   整理番号：01A0533359

新材料・新プロセスによる半導体薄膜形成技術 各社のLow-κ材料の構造と特徴 HSGシリーズ,SiLK樹脂 日立化成工業/ダウ・ケミカル

著者 (4件)： 榎本和宏 (日立化成工業) ,  野部茂 (日立化成工業) ,  大嶋明博 (ダウ・ケミカル日本) ,  井田康暢 (ダウ・ケミカル日本)
資料名： 電子材料  (Electronic Parts and Materials)
巻： 40  号： 5  ページ： 101-104  発行年： 2001年05月01日 
JST資料番号： F0040A  ISSN： 0387-0774  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 紹介的記事  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 0.13μm世代では配線にCuが前提で,比誘電率2.5~3の...

シソーラス用語： *絶縁膜 ,...
準シソーラス用語： 銅配線

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 新材料 ,  プロセス ,  薄膜形成技術