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文献
J-GLOBAL ID:200902150808993264   整理番号:01A0686447

低抵抗n型ダイヤモンド半導体についてのダイヤモンド中の水素関連複合欠陥に関する理論的研究

Theoretical study of hydrogen-related complexes in diamond for low-resistive n-type diamond semiconductor.
著者 (3件):
資料名:
巻: 302/303  ページ: 149-154  発行年: 2001年08月 
JST資料番号: H0676B  ISSN: 0921-4526  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ダイヤモンド中の孤立した置換型不純物(窒素,りん,硫黄),種...
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分類 (1件):
分類
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半導体の格子欠陥 

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