低い貫通転位密度のSi上の高品質Geエピ層

LUAN H-C; LIM D R; LEE K K; CHEN K M; SANDLAND J G; WADA K; KIMERLING L C

文献

J-GLOBAL ID：200902150832154222 整理番号：00A0001742

低い貫通転位密度のSi上の高品質Geエピ層

High-quality Ge epilayers on Si with low threading-dislocation densities.

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資料名：
巻： 75 号： 19 ページ： 2909-2911 発行年： 1999年11月08日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

超高真空/CVDの二段階蒸着と,それに続くサイクル熱アニール...

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半導体薄膜

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