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J-GLOBAL ID：200902151054857624   整理番号：01A0506031

中間層にAlを用いた二重トンネル接合の磁気抵抗効果

Tunnel Magnetoresistance Effect for Double Tunnel Junctions with Al Intermediate Layer.

著者 (6件)： 大坊忠臣 (東北大 大学院工学研究科) ,  大兼幹彦 (東北大 大学院工学研究科) ,  安藤康夫 (東北大 大学院工学研究科) ,  KIM C (Hanyang Univ., Seoul, KOR) ,  SONG O (Univ. Seoul, Seoul, KOR) ,  宮崎照宣 (東北大 大学院工学研究科)
資料名： 日本応用磁気学会誌  (Journal of the Magnetics Society of Japan)
巻： 25  号： 4-2  ページ： 767-770  発行年： 2001年04月15日 
JST資料番号： Z0944A  ISSN： 0285-0192  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 中間層に金属Alを用いた二重障壁トンネル接合の磁気抵抗効果を...

シソーラス用語： *磁気抵抗効果 ,...
準シソーラス用語： トンネル磁気抵抗効果 ,...

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分類 (3件)： その他の接合  (BM03088W) ,  Josephson接合・素子  (BM04043E) ,  固体デバイス一般  (NC03010Z)

引用文献 (9件)：

• 1) T. Miyazaki and N. Tezuka : J. Magn. Magn. Mater., 139, L231 (1995).
• 2) Y. Fukumoto, H. Kubota, Y. Ando and T. Miyazaki : Jpn. J. Appl. Phys. 2, Lett., 38, L932 (1999).
• 3) S. Takahashi and S. Maekawa : Phys. Rev. Lett., 80, 1758 (1998).
• 4) M. Johnson : Mater. Sci. Eng. B, Solid-State Mater. Adv. Technol, 31, 199 (1995).
• 5) S. Takahashi, H. Imamura and S. Maekawa : to be published.

タイトルに関連する用語 (4件)： 中間層 ,  Al ,  トンネル接合 ,  磁気抵抗効果