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J-GLOBAL ID：200902151143785378   整理番号：00A0297331

Si基板上にZnSバッファ層を用いてエピタキシャル成長したZnO薄膜の発光特性

Luminescent properties of ZnO thin film grown epitaxially on Si substrate using ZnS buffer layer.

著者 (6件)： 三宅亜紀 (静岡大 電子工研) ,  小南裕子 (静岡大 大学院) ,  立岡浩一 (静岡大 大学院) ,  桑原弘 (静岡大 大学院) ,  中西洋一郎 (静岡大 電子工研) ,  畑中義式 (静岡大 電子工研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 99  号： 597(EID99 74-97)  ページ： 65-69  発行年： 2000年01月27日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 励起子発光を示すZnO薄膜をエピタキシャルZnSバッファ層を...

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： エピタキシャル成長

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si基板 ,  ZnS ,  バッファ層 ,  エピタキシャル成長 ,  ZnO薄膜 ,  発光特性