文献

J-GLOBAL ID：200902151210346953   整理番号：02A0698113

Au/TiO₂/Ge金属酸化物半導体構造膜の紫外光起電力効果

Ultraviolet Photovoltaic Effect of Au/TiO₂/Ge Metal Oxide Semiconductor Structure Film.

著者 (6件)： SUNADA J (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  MATSUDA S (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  NAGANO T (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  KAMEYAMA S (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  WADA T (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  TATUMOTO H (Chiba Univ., Chiba, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 41  号： 8A  ページ： L878-L880  発行年： 2002年08月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属酸化物半導体(MOS)構造の光起電力膜を,光伝導TiO<...

シソーラス用語： 金 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0698113&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0599B") }}

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

引用文献 (12件)：

• 1) J. Sunada, K. Oishi, A. Kasai and T. Kitahara: Jpn. J. Appl. Phys. 21 (1982) 1781.
• 2) K. Oishi, K. Okamoto and J. Sunada: Thin Solid Films 148 (1987) 29.
• 3) J. Sunada, Y. Osada, T. Namekawa, K. Oishi and K. Fukuchi: Phys. Lett. A 146 (1990) 85.
• 4) J. Sunada, Y. Hashimoto, K. Oishi and K. Fukuchi: Phys. Lett. A 151 (1990) 447.
• 5) S. Matsuda, T. Imamura, J. Sunada and H. Tatsumoto: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) 2205.

タイトルに関連する用語 (5件)： Au ,  TiO2 ,  Ge ,  金属酸化物半導体 ,  光起電力効果