微細化MOSFETのV<sub>th</sub>ゆらぎに対する統計的な不純物数ゆらぎと位置分布からの影響の分離

YASUDA Y; TAKAMIYA M; HIRAMOTO T

文献

J-GLOBAL ID：200902151310505250 整理番号：01A0144075

微細化MOSFETのV_thゆらぎに対する統計的な不純物数ゆらぎと位置分布からの影響の分離

Separation of Effects of Statistical Impurity Number Fluctuations and Position Distribution on Vth Fluctuations in Scaled MOSFETs.

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巻： 47 号： 10 ページ： 1838-1842 発行年： 2000年10月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

著者らは微細化されたMOSFETのしきい値電圧(V<sub>...

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微細化MOSFETのVthゆらぎに対する統計的な不純物数ゆらぎと位置分布からの影響の分離

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