CMOSアナログ回路の設計のためのg<sub>m</sub>/I<sub>D</sub>を基礎とする方法論と,絶縁体上シリコン微小電力OTAの合成に対するその適用

SILVEIRA F; FLANDRE D; JESPERS P G A

文献

J-GLOBAL ID：200902151398977823 整理番号：96A0862613

CMOSアナログ回路の設計のためのg_m/I_Dを基礎とする方法論と,絶縁体上シリコン微小電力OTAの合成に対するその適用

A g_m/I_D Based Methodology for the Design of CMOS Analog Circuits and Its Application to the Synthesis of a Silicon-on-Insulator Micropower OTA.

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巻： 31 号： 9 ページ： 1314-1319 発行年： 1996年09月
JST資料番号： B0761A ISSN： 0018-9200 CODEN： IJSCBC 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

MOSトランジスタの全動作領域の統一的取扱いに基づく新しい設...

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増幅回路 , 半導体集積回路

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CMOSアナログ回路の設計のためのgm/IDを基礎とする方法論と,絶縁体上シリコン微小電力OTAの合成に対するその適用

CMOSアナログ回路の設計のためのg_m/I_Dを基礎とする方法論と,絶縁体上シリコン微小電力OTAの合成に対するその適用