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J-GLOBAL ID：200902151495555364   整理番号：02A0550529

X線吸収微細構造(XAFS)による表面,界面の解析 XAFS 測定の半導体への応用

Studies on Surface and Interface with X-ray Absorption Fine Structure (XAFS). Application of XAFS Measurements to the Study of Semiconductors.

著者 (3件)： 大淵博宣 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  田淵雅夫 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  竹田美和 (名古屋大 大学院工学研究科)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 23  号： 6  ページ： 367-373  発行年： 2002年06月10日 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 蛍光XAFS測定によって半導体薄膜層における希薄元素周辺の局...

シソーラス用語： *ガリウム化合物 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の構造決定法  (BK01070L)

引用文献 (18件)：

• 1) 竹田美和,大渕博宣:日本放射光学会誌 12, 395 (1998).
• 2) M. Tabuchi, D. Kawamura, K. Fujita, N. Matsubara, H. Ofuchi, S. Ichiki, H. Kamei and Y. Takeda: Rere Earth Doped Semiconductors II (MRS, Pittsburgh, 1996) p. 155.
• 3) Y. Fujiwara, N. Matsubara, J. Tsuchiya, T. Ito and Y. Takeda: Jpn. J. Appl. Phys. 36, 2587 (1997).
• 4) H. Ofuchi, D. Kawamura, N. Matsubara, M. Tabuchi, Y. Fujiwara and Y. Takeda: Microelectron. Engr. 43/44, 745 (1998).
• 5) K. Takahei and A. Taguchi: J. Appl. Phys. 74, 1979 (1993).

タイトルに関連する用語 (5件)： X線吸収微細構造 ,  XAFS ,  界面 ,  解析 ,  応用